实验室围绕光电信息科技与产业领域，布局战略性先进光电材料、新型照明与显示、高速通讯与感知等三大研究方向，实现光电信息产业核心技术自主可控，建成光电信息领域国际一流的创新创业创造高地和高层次人才培养基地，为推动高质量发展超越、促进光电信息产业集群跨越式发展和产业结构优化升级提供强有力科技支撑。
任意晶向自支撑大尺寸多孔GaN单晶衬底制备及应用项目致力于全新多孔GaN衬底制备技术的开发，解决GaN晶向调控与器件外延界面应力国际难题，并降低衬底缺陷密度，实现产业化转化。根据工作需要，项目组拟招聘以下岗位：
一、招聘需求
| 岗位名称 | 招聘人数 | 岗位职责 | 岗位要求 |
| 外延研发工程师 | 1 |
1、使用氮化设备及外延生长设备进行氮化镓单晶衬底外延生长技术的研发及相关设备的工艺调试；氮化镓基器件应用设计。 2、对生长材料进行测试表征并能够分析数据，对生长工艺进行调试和改进; 3、参与实验室建设和运营管理； 4、参与科研资料的撰写整理。 |
1、在半导体物理、材料、化学、光电子、微电子等相关领域具有博士学位； 2、熟悉半导体材料外延生长、半导体光电子等相关专业知识； 3、工作踏实，积极主动，擅于学习，富有团队精神; 4、熟悉外延设备操作，具有五年以上氮化镓基器件研发工作经验。 |
1．薪酬待遇：执行实验室现有的具有市场竞争力的薪酬和绩效标准。
2．人才政策：实验室可协助申请各类人才配套待遇。符合实验室高层次人才评定条件的，应聘时可按照有关规定申请高层次人才及配套待遇的认定。
3．职称评定：根据相关政策规定申请职称评定。
4．人才培养：实验室坚持绩效和目标导向，在职称评定、学术交流与培训、科研绩效支出等方面向青年骨干人员倾斜，助力青年人才快速成长。
5．基本保障：按照福州市相关缴费比例缴纳五险一金，享受国家规定的各类假期、带薪年休假及年度体检等福利待遇。
三、应聘流程
1．应聘申请材料：应聘申请表、身份证/护照、学历/学位证书、学术成就目录、获奖证明、专利证书等复印件以及本人认为有必要提供的其他相关材料；
2．材料以“岗位名称+姓名+项目名称 ”命名发送至：Talents@fjoel.cn
3．招聘考核分为资格审查、专家面试、室务会审批等环节。对于通过资格审查的应聘者,由实验室组织评审专家对应聘者进行面试。相关岗位未招满前，岗位招聘启事长期有效。应聘申请材料恕不退还，实验室将予以严格保密。
四、联系方式
1．联系电话：+86-0591-63173852，15880060856程老师
2.实验室网址：http://fjoel.cn/
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