郝跃

    微电子学与固体电子学家。西安电子科技大学教授。1958年3月21日出生于重庆市，籍贯安徽阜阳。1982年毕业于西安电子科技大学技术物理系，1991年在西安交通大学获博士学位。现任西安电子科技大学副校长。

    长期从事宽禁带半导体高功率微波电子学领域的研究和人才培养，在高质量材料生长、器件结构创新、工艺优化实现及其在极端环境下的可靠性、稳定性的研究中取得创新性和应用性成果。发现了氮化物半导体材料生长中气相预反应、表面吸附原子迁移及晶格应力的关键物理机理，提出了一种反应气体脉冲式分时输运原理与方法；发现了二维电子气在高压、高温下迁移率退化与晶格应变驰豫的物理机制，提出了无应变背势垒和多沟道新型氮化镓异质结构，以及新型高K堆栈的介质栅MOS-HEMT器件结构，成功实现了高效率氮化物微波功率器件。曾获国家技术发明奖二等奖1项，国家科技进步奖二、三等奖各1项及何梁何利科技奖。